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Webセミナー【特別セミナー： 窒化ガリウム(GaN)系半導体結晶成長における その場観察技術】（2022年7月）
名古屋大学 新田州吾特任准教授に、”窒化ガリウム(GaN)系半導体結晶成長におけるその場観察技術”をテーマで、
ご講演をいただきます。
皆様のご参加をお待ちしております。
| ●名称 | Webセミナー【特別セミナー： 窒化ガリウム(GaN)系半導体結晶成長における その場観察技術】（2022年7月） |
|---|---|
| ●日時 | 2022年7月20日（水） 15：00～16：30 （開始5分前よりアクセス可能です） ※お申込は7月20日（水）10時で締め切らせていただきます。 ※ 参加申込みは締め切らせていただきました。 |
| ●会場 | Webセミナー（オンラインセミナー） |
| ●参加費 | 無料 |
| ●担当者 | 西井・岡本 |
【 特別講演 】
窒化ガリウム(GaN)系半導体結晶成長におけるその場観察技術
15：00～16：00 新田 州吾 先生（名古屋大学 未来材料・システム研究所, 特任准教授）
GaNに代表される窒化物半導体は紫外～可視発光ダイオード(LED)、レーザダイオード(LD)、モバイル通信および小型パワーデバイス用HEMTなどが社会実装され、現代社会において必要不可欠な材料である。これらの素子の核である単結晶薄膜は、その量産品の全てが有機金属気相成長(MOVPE)法によって製造されていると言ってよい。高品質GaNの結晶成長は原料ガスの有機金属とアンモニアを1000℃に加熱した基板表面で反応させることによって行われる。反応炉内はブラックボックスであり、成長機構の解析や、ナノメートルオーダーでの高精度な組成・膜厚制御には“その場“観察技術が重要となる。本講演では名古屋大学で研究に用いられているその場観察技術について、実例を交えて紹介する。 ーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーー 新田 州吾先生が所属されている研究室のご紹介は |
大塚電子の膜厚測定装置のご紹介
16：00～16：10 後藤 秀平（大塚電子株式会社）
大塚電子の光干渉法と高精度分光光度計により、非接触・非破壊かつ高速、精度で膜厚測定を可能にした反射分光膜厚計についてご紹介します。 |
質疑応答
16：10～16：30 新田 州吾 先生（名古屋大学 未来材料・システム研究所, 特任准教授）
関連製品
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ご視聴方法
本セミナーは「Microsoft Teams」を使用します。
参加申込みいただいた方に、後日視聴用URLをご連絡いたします
インターネット環境のあるパソコン・タブレット・スマートフォンがあれば、どこからでも参加可能です。
※パソコン・タブレットの場合は、ブラウザで参加可能です
推奨ブラウザ：Microsoft Edge または Google Chrome
※スマートフォンの場合は、Teamsアプリをインストールする必要があります
注意事項
・セミナーの録音や録画は固くお断りさせていただきます。
・同業者のご登録はご遠慮いただいておりますのでご了承ください。
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