●名 称 | SEMICON Japan 2013 | |
●会 期 | 2013年12月4日(水)~6日(金)10:00 ~ 17:00 | |
●会 場 | 幕張メッセ | |
●入場料 | 無料(事前登録制) → 事前登録はこちら |
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●主 催 | SEMIジャパン |
【 形状評価 】 最小ビア径2μm、最大アスペクト比1:15を実現 |
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● TSV形状検査装置 TS-3000 TSVやMEMSなどの表面形状測定が可能な装置です。独自開発の振動に強い光学系を採用し、ウェハ基板表面側からの非接触・非破壊計測によりウェハの材質(ドープ)や積層膜の影響(金属膜など)を受けない高精度測定が可能です。
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【 膜厚評価 】 ウェハ基板の研磨プロセス中の厚みをリアルタイムに計測 |
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● 分光干渉式ウェハ厚み計 SF series 高速・リアルタイムで研磨モニタが可能です。長いワークディスタンスに対応実現し、機器への組み込みが容易に可能です。高速Rθステージを付けることで、61ポイント60秒で測定可能です。
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【 膜厚評価 】 多層膜の膜厚・膜質解析を高速・高精度で実現! |
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● 反射分光膜厚計 FE-3000 マルチチャンネル検出器による高速性と、顕微光学系による多機能を付加した光干渉式膜厚測定システムです。紫外可視域から近赤外域までの顕微反射スペクトルにより、多層薄膜から厚膜まで幅広いレンジの膜厚測定を高速・高精度で実現します。半導体材料、FPD材料、光記憶材料、新機能性材料など、多様化する各種膜厚、膜質解析にお応えします。
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●テ ー マ | TSV Total Solutionとして、 TSV形状測定装置およびTSVウェハ検査装置のご紹介 |
●発表要旨 | 「TSV形状測定装置」は、振動に強い独自開発の光学系により、最小ビア径2μm、最大アスペクト比1:15のビア形状やレジスト残膜の情報を提供します。「TSVウェハ検査装置」は、450mmウェハに対応したTSV裏面Si厚み,ボンディング層を高速測定でマッピング情報を提供します。 |
●対象製品 | TSV形状検査装置 TS-3000 ウェハ厚み検査装置 SF series |
●日 時 | 2013年12月5日(木)10:30~11:20 |
●会 場 | 国際会議場 103会議室 |
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