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大塚電子 ニュース
SEMICON Japan 2012
無事終了いたしました。
多数のご来場を頂き、誠にありがとうございました

セミコンジャパン2012にて、弊社製品の最新技術をご紹介します。
大塚電子ブースでは、ウエハ処理プロセスにおける厚み計測モニターに最適な「分光干渉式厚み計」を実機展示します。小型・省スペースで、機器への組み込みが容易です。61ポイント60秒で測定可能な高速Rθステージも展示しますので、ぜひ弊社ブースにて実機をご覧ください。
この他に、エプソンメソッド対応「PFC簡易測定ツール」を搭載した「ガス分析装置」、も展示します。
ぜひ弊社ブース(2A-509)へお立ち寄りください。
SEMICON Japan 2012
名  称 SEMICON Japan 2012  
会  期 2012年12月5日(水)~7日(金)10:00 ~ 17:00  
会  場 幕張メッセ  
入場料 無料(事前登録制)
 → 事前登録はこちら
 
主  催 SEMIジャパン  
出展ブース「2A-509」(2ホール)
出展ブース「2A-509」(2ホール)
出展製品
【 膜厚評価 】
  ウエハ基板の研磨プロセス中の厚みをリアルタイムに計測
● 分光干渉式ウエハ厚み計 SF-3
【膜厚評価】ウエハ基板の研磨プロセス中の厚みをリアルタイムに計測 -分光干渉式ウエハ厚み計 SF-3
高速・リアルタイムで研磨モニタが可能です。長いワークディスタンスに対応実現し、機器への組み込みが容易に可能です。高速Rθステージを付けることで、61ポイント60秒で測定可能です。

測定膜厚範囲 * 10um ~ 1mm
ワークディスタンス 3mm ~ 200nm
  * シリコン屈折率換算
【 膜厚評価 】
  小型・低価格!簡単操作で、"非接触"膜厚測定!
● 膜厚モニター FE-300
小型・低価格!簡単操作で、"非接触"膜厚測定! 膜厚モニター FE-300
薄膜から厚膜の幅広い膜厚測定に対応可能な光干渉式膜厚計です。
コンパクト・低価格でありながら高精度測定を実現します。

測定膜厚範囲 *1 10nm ~ 40um *2
測定波長範囲 300nm ~ 800nm *2
測定項目 絶対反射率測定、多層膜厚解析(5層)、
光学定数解析
  *1 光学的膜厚:nd
  *2 仕様により測定膜厚範囲および測定波長範囲は異なります

【 膜厚評価 】
  多層膜の膜厚・膜質解析を高速・高精度で実現!
● 反射分光膜厚計 FE-3000
【膜厚評価装置】 多層膜の膜厚・膜質解析を高速・高精度で実現 -反射分光膜厚計 FE-3000
マルチチャンネル検出器による高速性と、顕微光学系による多機能を付加した光干渉式膜厚測定システムです。紫外可視域から近赤外域までの顕微反射スペクトルにより、多層薄膜から厚膜まで幅広いレンジの膜厚測定を高速・高精度で実現します。半導体材料、FPD材料、光記憶材料、新機能性材料など、多様化する各種膜厚、膜質解析にお応えします。

測定波長範囲 230nm ~ 1600nm *
測定膜厚範囲 1nm ~ 1mm *
検出器 PDA、CCD、InGaAs
測定項目 絶対反射率測定、多層膜厚解析、
光学定数解析(n:屈折率、k:消衰係数)
  * 仕様により測定膜厚範囲および測定波長範囲は異なります
【 FTIRガス分析装置 】
  プロセス装置から排出されるPFCガスの成分分析
● 工業用ガス分析装置 IG-2000
【FTIRガス分析装置】プロセス装置から排出されるPFCsガスの成分分析 -工業用ガス分析装置 IG-2000
誰にでも現場で簡単にガス成分分析ができるプロセス用ガス連続モニターです。エプソンメソッドに対応した「PFC簡易測定ツール」を搭載。半導体・液晶工場におけるPFCガス(地球温暖化ガスなど)の現場分析に最適です。

測定波数範囲 600cm-1~ 5000cm-1 Greenmethodロゴ
検出器 室温 DLaTGS

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