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大塚電子 ニュース
SEMICON Japan 2010
無事終了いたしました。
多数のご来場を頂き、誠にありがとうございました

セミコンジャパン2010にて、弊社製品の最新技術をご紹介します。
大塚電子ブースでは、新製品「膜厚モニター FE-300」を実機展示します。薄膜から厚膜の幅広い膜厚測定に対応可能な光干渉式膜厚計です。コンパクトな外観、優れた操作性をぜひ弊社ブースにてご覧ください。
この他に、エプソンメソッド対応「PFC簡易測定ツール」を搭載した「ガス分析装置」、 CMPスラリー分散評価やウェハ表面解析に最適な「ゼータ電位計」も展示します。
ぜひ弊社ブース(3C-811)へお立ち寄りください。
SEMICON Japan 2010
名  称 SEMICON Japan 201/td>  
会  期 2010年12月1日(水)~3日(金)10:00 ~ 17:00  
会  場 幕張メッセ/td>  
入場料 無料(事前登録制)
 
主  催 SEMIジャパン  
出展ブース「3C-811」(3ホール)
出展ブース「3C-804」(3ホール)
出展製品
【 膜厚評価 】
小型・低価格!簡単操作で、"非接触"膜厚測定!
● 膜厚モニター FE-300
小型・低価格!簡単操作で、"非接触"膜厚測定! 膜厚モニター FE-300
薄膜から厚膜の幅広い膜厚測定に対応可能な光干渉式膜厚計です。
コンパクト・低価格でありながら高精度測定を実現します。

測定膜厚範囲 *1 10nm ~ 40um *2
測定波長範囲 300nm ~ 800nm *2
測定項目 絶対反射率測定、多層膜厚解析(5層)、
光学定数解析
  *1 光学的膜厚:nd
  *2 仕様により測定膜厚範囲および測定波長範囲は異なります

【 膜厚評価装置 】
  省スペース・高機能エリプソメータを低価格にてご提供
● 卓上型分光エリプソメータ FE-5000S
【膜厚評価装置】コンパクト・高機能エリプソメータを低価格で提供! -卓上型分光エリプソメータ FE-5000S
高精度な膜厚解析・光学定数解析が可能な卓上型分光エリプソメータです。自動角度可変測定、全角度同時解析など高機能仕様の分光エリプソメータを低価格・省スペースにて実現しました。薄膜材料における多層薄膜の膜厚解析が可能であり、膜厚管理・膜質管理に有用な情報を提供することが可能です。

測定膜厚範囲 0.1nm ~ 1μm
測定波長範囲 300nm ~ 800nm
検出器 ポリクロメータ (PDA、CCD)
測定項目 エリプソパラメータ(cosΔ,tanψ)
光学定数解析(k:消衰係数、n:屈折率)、膜厚解析
【 FTIRガス分析装置 】
  プロセス装置から排出されるPFCガスの成分分析
● 工業用ガス分析装置 IG-2000
【FTIRガス分析装置】プロセス装置から排出されるPFCsガスの成分分析 -工業用ガス分析装置 IG-2000
誰にでも現場で簡単にガス成分分析ができるプロセス用ガス連続モニターです。エプソンメソッドに対応した「PFC簡易測定ツール」を搭載。半導体・液晶工場におけるPFCガス(地球温暖化ガスなど)の現場分析に最適です。

測定波数範囲 700cm-1~ 5000cm-1
検出器 室温 DLaTGS
【 ゼータ電位・粒径測定装置 】
  CMPスラリー分散評価とウェハ表面解析
● ゼータ電位・粒径測定システム ELSZ series
【ゼータ電位・粒径測定装置】CMPスラリー分散評価とウエハ表面解析 -ゼータ電位・粒径測定システム ELSZ series
微粒子の分散・凝集性、表面改質の指標となるゼータ電位および粒子径・粒子径分布を測定する装置です。 CMPのスラリー液に含まれる研磨微粒子の分散安定性評価、シリコンウェハ上の表面電荷測定に利用できます。

ゼータ電位 -200mV ~ 200mV
粒子径(Z-2仕様) 0.6nm ~ 7000nm
対応濃度範囲 0.001% ~ 40% *
電気移動度 -20×10-4 ~ 20×10-4 cm2/s・V
*(Latex115/262nm: 0.001 ~ 10%、タウロコール酸: ~ 40%)

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