無事終了いたしました。
多数のご来場を頂き、誠にありがとうございました
12月5日から幕張メッセで開催される「SEMICON Japan 2007」に出展します。
弊社ブースでは、小型化した「ガス分析装置(IG-2000:新製品)」を展示します。
エッチング、CVD装置のプロセスガス分析や除害装置の効果等が手軽に評価可能なガス連続モニターです。この他に、省スペース・低価格で高精度な膜厚解析が
可能な卓上型分光エリプソメータ(FE-5000S)、CMPスラリー分散評価やウェハ表面解析に最適なゼータ電位計(ELSZ series)も展示します。
また、出展社セミナーでは、「PFCsガスの分析方法と算出方法について」ご紹介します。
ぜひ弊社ブース(3A-501)へお立ち寄りください。
●名 称 |
SEMICON Japan 2007 |
●日 時 |
2007年12月5日(水)~7日(金)10:00 ~ 17:00 |
●会 場 |
幕張メッセ |
●入場料 |
無料(事前登録制) |
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(事前登録はこちら) |
●主 催 |
SEMIジャパン |
【 FTIRガス分析装置 】
プロセス装置から排出されるPFCsガスの成分分析 |
● 工業用ガス分析装置 IG-2000
現場で誰にでも簡単にガス成分分析ができるプロセス用ガス連続モニターです。弊社従来製品であるIG-1000を軽量化し、よりすぐれた可搬性を実現しました。半導体・液晶工場における排気ガス(地球温暖化ガスなど)の現場分析に最適です。
測定波数範囲 |
700cm-1~ 5000cm-1
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検出器 |
室温 DLaTGS |
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【 膜厚評価装置 】
コンパクト・高機能エリプソメータを低価格で提供! |
● 卓上型分光エリプソメータ FE-5000S
高精度な膜厚解析・光学定数解析が可能な卓上型分光エリプソメータです。自動角度可変測定、全角度同時解析など高機能仕様の分光エリプソメータを低価格・省スペースにて実現しました。薄膜材料における多層薄膜の膜厚解析が可能であり、膜厚管理・膜質管理に有用な情報を提供することが可能です。
測定膜厚範囲 |
0.1nm ~ 1μm |
測定波長範囲 |
300nm ~ 800nm |
検出器 |
ポリクロメータ (PDA、CCD) |
測定項目 |
エリプソパラメータ(cosΔ,tanψ)
光学定数解析(k:消衰係数、n:屈折率)、膜厚解析 |
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【 膜厚評価装置 】
薄膜から厚膜まで高精度に測定 |
● 反射分光膜厚計 FE-3000
マルチチャンネル検出器による高速性と、顕微光学系による多機能を付加した光干渉式膜厚測定システムです。紫外可視域から近赤外域までの顕微反射スペクトルにより、多層薄膜から厚膜まで幅広いレンジの膜厚測定を高速・高精度で実現します。半導体材料、FPD材料、光記憶材料、新機能性材料など、多様化する各種膜厚、膜質解析にお応えします。
測定膜厚範囲 |
1nm ~ 250μm |
測定波長範囲 |
190nm ~ 1600nm |
検出器 |
PDA、CCD、InGaAs |
測定項目 |
多層膜厚解析、膜物性解析(k:消衰係数、n:屈折率)、
絶対反射率測定 |
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【 ゼータ電位・粒径測定装置 】
CMPスラリー分散評価とウエハ表面解析 |
● ゼータ電位・粒径測定システム ELSZ series
微粒子の分散・凝集性、表面改質の指標となるゼータ電位および粒径・粒径分布を測定する装置です。
CMPのスラリー液に含まれる研磨微粒子の分散安定性評価、シリコンウェハ上の表面電荷測定に利用できます。
ゼータ電位 |
-200 ~ 200mV |
粒子径(Z2仕様) |
0.6nm ~ 7μm |
対応濃度範囲 |
0.001% ~ 40% *1 |
電気移動度 |
-10×10-4 ~ 10×10-4 cm2/s・V |
*1(Latex115/262nm: 0.001 ~ 10%、タウロコール酸: ~ 40%)
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●日 時 |
2007年12月7日(金) 12:30~13:20 |
●会 場 |
セミナールームII(4ホール) |
●タイトル |
半導体・液晶製造・太陽電池製造におけるPFCsガス
及びNF3、SF6ガス分析について |
●概 要 |
近年、地球温暖化が問題になっております。各業界の取り組み
として、温暖化ガスの排出量削減が検討されております。そこで
大塚電子では、排出量を分析する最も有効な手段としてFTIRを
用いた分析方法の紹介と、削減量の算出方法についてご提案
いたします。 |